有限积分技术及紧缩场低频性能的研究

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2022-5-23 10:50 上传

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紧缩场应用的范围向宽频方向发展。本文分析介绍了有限积分技术（FIT），并用以有限积分技术（FIT）为基础的Microwave Studio对紧缩场低频特性进行分析。本文对有限积分技术（FIT）中对积分形式麦克斯韦方程组的离散化部分进行了推导，讨论其中材料性质的影响，并分析其代数性质。文中还介绍了时域离散化的几种基本方式，讨论离散过程中保持稳定的条件及其与网格划分的大小，介质属性与时间步长三者之间的关系。本文以200MHz、250MHz和300MHz三频点为例，用Microwave Studio计算特定紧缩场，以此讨论该紧缩场200MHz—300MHz频率段的性质，分析其性能；并用紧缩场原理进行讨论，从理论上研究低频状态下紧缩场存在可用频段的可能性。在同一频段的相同条件下用天线近场计算的卷积积分法计算紧缩场性能并与Microwave Studio结果相比较，分析天线近场计算的卷积积分法在低频情况下的计算精确度，从理论上判断解释误差来源。比较两者的运算速度，从计算精度和运算效率两方面讨论天线近场计算的卷积积分法在低频紧缩场性能计算中意义，可以认为天线近场计算的卷积积分法可以应用于紧缩场的低频计算。

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从理论上判断解释误差来源

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